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IGCT自動測試系統核心是安規及導通性能測試的訂制化標準測試平臺，其核心是采用了各種儀器儀表（萬用表、內阻測試儀、安規測試儀、電源等）和繼電器板卡、配合測試機柜、產品的定制工裝，利用虛擬儀器技術相關功能進行測試，并將檢測結果保存到本地盤，MES上傳到客戶指定數據庫；測試項目和內容步驟保存到數據庫里面，數據庫包含單步測試功能模塊，儀器測試指令，工號權限，增加和刪除編輯項目可以在數據庫操作界面完成。
KC-3105 第三代功率半導體器件動態可靠性測試系統中可同時完成HTRB和DHTRB測試，整體架構模塊化，通訊協議、通訊接口等采用統一標準，便于后期擴展和維護。該系統集成度高、應用覆蓋面廣，系統采用軟、硬件一體化設計且功能豐富，在保證系統穩定運行的同時，可以快速滿足功率半導體可靠性測試需求。
KC3110功率半導體高精度靜態特性測試系統(實驗室)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。本系統可以在3KV和1000/2000A的條件下實現精確測量和參數分析，漏電流測試分辨率高達fA，電壓測試分阱率最高可這nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動程控軟件，圖型化上位機操作界面。內置開關切換矩陣保證測試效率。
KC3111功率半導體高精度靜態特性測試系統（生產端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規級模塊的新興要求而進行的一次高標準產品開發。脈沖信號源輸出方面，高壓源標配2000V（選配3.5KV）
KC3120功率半導體動態參數測試系統可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項動態參數測試，如開通時間、關斷時間、上升時間、下降時間、導通延遲時間、關斷延遲時間、開通損耗。
測試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進行連續工作壽命和間歇工作壽命試驗。間歇工作壽命試驗利用芯片的反復開啟和關閉引起的反復高溫和低溫，加速芯片內各種組件材料和結合面的熱機械應力，驗證封裝、內部鍵合等承受由芯片操作引起的熱機械應力能力。IOL間歇壽命試驗系統HK-IOL-16H
IGBT/SIC模塊功率循環試驗系統 華科智源-功率循環老化設備主要是針對IGBT/SIC的封裝可靠性行進行實驗,通過控制實驗條件再現IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實驗的關鍵是控制結溫的波動范圍以及最高溫度,得到不同條件下的實驗壽命,從而得到IGBT的壽命。
SIC碳化硅器件參數測試儀HUSTEC-3000功能及主要參數： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時間參數測試。
