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ENJ2010 IGBT便攜式半導體靜態參數測試儀
系統概述：
IGBT作為目前主流的電力半導體開關器件，已廣泛應用于電力電子相關行業，一臺輕巧便攜的測試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測試儀，是一種全新的功率半導體器件參數測試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態參數的測試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機界面操作，便于各 測試參數的組合、數據結果以表格形式呈現，具有使用便捷、測試精度高等優點，適合于各測試器件使用現場及產線維護場合使用。
該測試系統具有如下特點：
該測試系統是一套綜合參數測試系統，對設備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較 大；
該測試系統采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試；
該系統采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為 EXCEL 文件進行處理。
該測試系統主要由以下部分組成：
柵極-發射極漏電流測試單元
柵極-發射極閾值電壓測試單元
集電極-發射極電壓測試單元
集電極-發射極飽和電壓測試單元
二極管壓降測試單元
二極管反向擊穿電壓測試單元
ENJ2010 IGBT便攜式半導體靜態參數測試儀
測試范圍/Test range
柵極/Gate 發射極/Emitter | VGES：1-40V 分辨率/Resolving power 0.1V IGES：0.1-10Ua 分辨率/Resolving power 0.01uA Vce：0V |
| 集電極/Collector 發射極/Emitter | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
柵極發射極閾值電壓 Grid emitter threshold voltage | Vge(th)：1-10V 分辨率/Resolving power 0.1V |
集電極Collector/發射極Emitter 飽和電壓/Saturation voltage | VCE(sat)：0.2-5V 分辨率/Resolving power 0.01V ICE：10-100A 分辨率/Resolving power 1A |
| 二極管/Diode 壓降/Pressure drop | VF：0.01-5V 分辨率/Resolving power 0.01V IF：1-100A 分辨率/Resolving power 1A Vge：0V |
二極管反向最大/Diode reversal maximum 可恢復直流電壓/Recover dc voltage | Vces：100-3000V 分辨率/Resolving power 10V Ices：100uA-5mA 分辨率/Resolving power 10uA |
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